Les semi-conducteurs III-N, incluant GaN, AlN, InN et leurs alliages, font l'objet d'un intérêt grandissant pour le développement de dispositifs optoélectroniques. Leurs propriétés électroniques permettent d'exploiter un large spectre, leur ouvrant de nombreuses applications.

Depuis la réalisation des premières LED bleues à base de puits quantiques InGaN/GaN, ayant donné lieu au prix Nobel de physique de 2014, l'alliage InGaN est particulièrement étudié pour le développement des LED visibles. La fabrication des matériaux III-N par épitaxie fait cependant face à de nombreuses difficultés, incluant le large désaccord de maille entre les différents matériaux III-N, ainsi qu'avec les substrats disponibles.

Marion Gruart s'est intéressée à l'épitaxie de nano et microfils III-N pour la réalisation de structures LED visibles. En particulier, ses travaux visaient à optimiser l'efficacité des LED à haute teneur en In (environ 35 % In) pour l'émission dans le rouge. Ses travaux ont suscité le dépôt de 4 brevets. Elle travaille désormais dans l'entreprise de haute technologie Aledia.