Au cœur de mémoires magnétiques MRAM (Magnetic Random Access Memory) se trouve une jonction tunnel magnétique « perpendiculaire », dont des chercheurs de l'Irig sont des experts.

Ctte jonction, composée d'un empilement CoFeB/MgO/CoFeB, doit subir un recuit après dépôt, au cours duquel des atomes de bore de CoFeB migrent dans les autres couches. Pour limiter cette diffusion préjudiciable, des atomes de tantale à forte affinité pour le bore sont insérés au niveau de la couche protectrice des MRAM. Or, au cours du recuit, le tantale capture une partie des atomes de fer de la jonction, ce qui altère la MRAM. Cette effet indésirable apparaît au-delà de 300°C.

Des chercheurs de l'Irig ont eu l'idée de remplacer le tantale par du tungstène, plus réfractaire, et ont observé, après recuit à 400°C, une moindre capture d'atomes de fer. L'homogénéité des couches est préservée. Il devient même possible d'augmenter la température de recuit jusqu'à 450°C et ainsi, d'améliorer significativement les performances magnétiques de la partie active des jonctions. Intégrer les MRAM dans les process standard de la microélectronique devient une réalité ! 

                                                        Empilement des différentes couches de matériaux utilisés dans les jonctions tunnels magnétiques après recuit à 425°C.