​Les transistors MOSFET à base de nanofils sont des composants électroniques avancés, dont la miniaturisation va de pair avec l'augmentation des performances des circuits intégrés et la réduction de la puissance dissipée. Pour la première fois, le Leti a conçu des transistors MOSFET à base de nanofils de silicium et de silicium-germanium (SiGe/Si), présentant plusieurs couches de SiGe dans une même section de fil. « L'utilisation de ces hétéro-structures permet d'augmenter le nombre de puits quantiques dans une même section de fil, explique un chercheur du Leti. Ceci a pour effet d'accroître le niveau de courant et donc les performances du composant. »
Le transistor obtenu présente en effet un gain en mobilité d'un facteur 100%, et a été démontré pour une longueur de grille ne dépassant pas les 15 nm (en deçà des architectures MOSFET actuelles). Il prépare ainsi le terrain à une plus grande miniaturisation des composants (nœud technologique 5 nm), et l'avenir des transistors FDSOI et FinFET.
Ce travail pionnier a reçu le prix Paul Rappaport, qui récompense le meilleur papier par la IEEE Electron Devices Society.