Les mémoires ferroélectriques à base d'oxyde d'hafnium sont des dispositifs capables de retenir l'information sans nécessiter d'alimentation électrique continue, ce qui les rend particulièrement intéressantes pour les applications à faible consommation d'énergie. Cependant, leur utilisation à grande échelle est encore limitée par plusieurs défis, notamment la perte d'information au cours du temps et la difficulté de reprogrammer certaines cellules mémoire. 

Les travaux de Julie ont permis de mieux comprendre les mécanismes de perte d'information dans les mémoires ferroélectriques et d'identifier des pistes pour améliorer leur fiabilité. En particulier, elle a pu quantifier ce phénomène au niveau des composants unitaires et des circuits plus complexes, mettant ainsi en lumière une unique origine physique. 

En développant une méthodologie rigoureuse d'évaluation de la durée de vie des données, incluant sa modélisation à des fins d'extrapolation, Julie a non seulement identifié les facteurs clés influençant la fiabilité des mémoires ferroélectriques, mais elle a également proposé une stratégie électrique facilitant la reprogrammation des données, contribuant ainsi à une meilleure compréhension et à une amélioration significative de ces dispositifs. 

“J'ai réellement apprécié participer à la conférence IRPS, non seulement la richesse des contenus techniques était grandiose mais l'ambiance est telle que l'on ressort forcément gagnant, avec un prix ou non » ​​

Les résultats obtenus par Julie ouvrent de nouvelles perspectives pour le développement de mémoires ferroélectriques plus performantes et plus fiables. Ces avancées pourraient notamment trouver des applications dans les domaines de l'IoT, l'électronique embarquée et le stockage de données de masse.