La technologie GaN/Si fait partie des technologies « grand gap » (semi-conducteurs à large bande), qui permet de repousser les limites des semi-conducteurs de puissance en fournissant une meilleure efficacité énergétique aux systèmes.

Dans le but de faciliter la transition énergétique et limiter nos émissions en gaz carbonique, de nouvelles technologies doivent être mises en œuvre pour réduire la consommation énergétique des systèmes.

Objectif : miniaturiser les convertisseurs, augmenter l’efficacité énergétique tout en réduisant les côuts. L’automobile avec les véhicules électriques et l’industrie avec les commandes moteurs et les alimentations de puissance sont les principaux vecteurs de croissance. La technologie GAN/Si, compatible CMOS sur plaquettes en silicium 200 mm, permet de répondre à ces enjeux pour toutes les applications moyenne puissance et pour des tensions entre 100V et 1200V.
 
Le Leti dispose d’une épitaxie GaN/Si de pointe (600V et 1200V) et d’une technologie permettant de réaliser des diodes et des transistors de puissance GaN/Si 600V plus performants (5 fois plus que le silicium et beaucoup plus compacts). Grâce à cette technologie coplanaire, il serait possible de rendre le composant de puissance « plus intelligent » avec des fonctions intégrées monolithiques telles qu’un composant bidirectionnel (courant/tension) ou des fonctions de protection (température, tension, courant, etc.) et de commande (driver),  actuellement inaccessibles simplement avec le silicium.