​​​Les jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire (au plan de la jonction) présentent plusieurs avantages par rapport à leurs homologues à anisotropie parallèle. Elles peuvent notamment conduire à la conception de mémoires magnétiques à plus haute densité de stockage.

Les matériaux à anisotropie magnétique perpendiculaire (PMA) comportent habituellement des interfaces ferromagnétique – oxyde ou des empilements comprenant deux ferromagnétiques ou encore des interfaces ferromagnétique – métal non magnétique.

Les chercheurs de l'Inac ont proposé une interface cobalt (ferromagnétique) – graphène pour réaliser les électrodes de jonctions tunnel magnétiques. D'après leur calcul, le graphène peut améliorer, jusqu'à la doubler, l'anisotropie magnétique du cobalt jusqu'à une épaisseur de cobalt de 2,5 nm. Ces résultats ont été confirmés par des expériences réalisées au Lawrence Berkeley National Laboratory (États-Unis) et à l'Institut Néel (Grenoble) avec des échantillons de cobalt revêtu de graphène, déposé sur un substrat d'iridium.

Ces travaux renforcent le potentiel, pour le traitement de l'information, d'une filière spintronique miniaturisée, basée sur l'anisotropie magnétique géante dans des couches cobalt – graphène.