​Moins coûteux que le SiC, le GaN sur silicium est aujourd'hui le meilleur candidat pour les applications en électronique de puissance. Bon nombre de celles-ci nécessitant également une tenue aux températures élevées, un démonstrateur de convertisseur de puissance résistant aux environnements sévères a été mis au point.

Ce dernier combine une puce (driver) développée par le Leti, institut de CEA Tech, laquelle contrôle la vitesse de commutation d'un interrupteur de puissance en GaN. « L'originalité de ce travail a été d'associer différentes technologies dans un même démonstrateur, explique un chercheur du Leti. Pour chaque partie du système, le matériau le plus adapté aux contraintes a été choisi : ainsi nous avons réalisé le driver sur SOI, lequel résiste à des températures élevées, tandis que l'interrupteur lui-même est en GaN pour être performant à des tensions élevées. »

Cette solution hybride originale démontre le potentiel du GaN dans les convertisseurs de puissance embarqués dans les environnements sévères, tels que les actionneurs électromécaniques situés à proximité des moteurs à combustion interne dans l'automobile ou l'aéronautique, ou encore pour l'exploration minière (gaz, pétrole….) qui a besoin d'électronique à 200°C.