Le CEA-Leti l’a démontré récemment en réalisant des matrices de 16 kbits en format 300 mm et en technologie FDSOI 28 nm ; puis en les soumettant à 100 000 cycles de fonctionnement, au terme desquels aucun point mémoire n’était défaillant.
Ces résultats s’ajoutent aux atouts bien connus des OxRAM : faible coût, forte densité, fabrication simple… De plus, le CEA-Leti innove en intégrant à l’oxyde d’hafnium utilisé comme matériau actif une faible proportion de silicium. Il peut ainsi abaisser la tension de fonctionnement et ménager les transistors 28 nm les plus proches de la mémoire.
Les travaux ont déjà donné lieu au dépôt de plusieurs brevets et des discussions sont en cours avec des industriels.