C'est ce que laisse espérer un projet commun CEA-Leti – LTM – CNRS. Les chercheurs ont réalisé des cellules mémoires de 15 x 300 nm2 où l'oxyde métallique habituel est remplacé par un isolant de Mott.
Résultat : une variabilité réduite d'un facteur 10, qui permet de viser des applications à haute exigence comme le stockage de données.
Cette amélioration s'explique : l'isolant de Mott effectue la transition conducteur-isolant sans déplacement d'atomes ni changement de structure cristalline, deux phénomènes à l'origine de la variabilité.
Mais ce matériau hors norme reste délicat à synthétiser et à déposer ; les travaux se poursuivent pour progresser sur ces deux axes.
Source : Minanews