FD-SOI Next Generation 10-7 nm
Le meilleur compromis puissance, performance, surface et coût pour des applications à haute efficacité énergétique
Déjà présents dans l’électronique nomade, l’automobile et l’internet des objets, les transistors FD-SOI 28-18 nm sont actuellement produits en volume par des fondeurs comme STMicroelectronics, GlobalFoundries ou Samsung. Le passage au noeud 10 nm permettra des gains très significatifs en termes de :
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densité de transistors ;
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compromis haute performance/basse consommation : les performances et la consommation des circuits seront modulées selon les besoins de l’application ;
- résistance aux radiations ;
- réduction des fuites de courant ;
- coûts de fabrication.
Nouveautés
Le développement du FD-SOI 10 nm implique des avancées importantes en termes de substrat, d’application de contraintes mécaniques sur les matériaux et les dispositifs, de miniaturisation, de procédés innovants de lithographie et de gravure, de flexibilité de polarisation de la face arrière des composants, etc.
L’amélioration du compromis performance/consommation intéresse notamment le marché du smartphone, pour améliorer leur autonomie et/ou enrichir leurs fonctionnalités.
Dans les applications automobiles, l’intégration d’une mémoire non volatile à changement de phase dans le back-end des microcontrôleurs améliorera ces derniers sur plusieurs points : fiabilité, densité de stockage et performances.
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Prochaines étapes
Dans le cadre du projet NextGen, le CEA-Leti investit massivement en ressources humaines, équipements et bâtiments pour développer le FD-SOI 10 nm, tout en anticipant les besoins spécifiques des acteurs européens de la microélectronique.
Il a déjà établi des premiers jeux de règles de dessin. Le transfert industriel de ce nouveau noeud débutera en 2027.
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