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AWARD - Division Photonique & Electronique - Jean-Michel Hartmann


​​​​​​​​​​​L'essor des nanotechnologies et technologies électro-photoniques est le résultat d'un besoin de miniaturisation des outils et systèmes faisant partie intégrante de nos vies. Par ailleurs, il est aujourd’hui nécessaire de penser l’innovation à travers les enjeux de ressources planétaires et de consommation énergétique. La technologie CMOS à base de silicium est aujourd’hui au cœur de ces enjeux, implantés dans des dispositifs miniaturisés. Cela pose des défis significatifs pour atteindre la faible consommation d'énergie en accord avec les préoccupations sociétales actuelles.​ 

Publié le 20 octobre 2023

Félicitations à Jean-Michel Hartmann pour son prix Division Photonique et Electronique lors de la 243ème conférence de la société éléctrochimique, à Boston, en mai 2023 !

Ce prix est l'occasion idéale de célébrer le partenariat de longue date avec le centre de recherche Forschungszentrum Jülich, qui a donné lieu à plus d'une centaine de publications conjointes depuis 2009. Le prix Electronics and Photonics Division a été créé en 1969 pour encourager l'excellence dans la recherche en électronique et une contribution technique remarquable au domaine de la science en électronique.

Jean-Michel Hartmann a obtenu son doctorat en physique à l'Université Grenoble Alpes en 1997. Ses recherches portaient alors sur l'épitaxie par jets moléculaires - sources solides d'hétérostructures CdTe/MnTe et CdTe/MgTe à des fins optiques. En tant que chercheur postdoctoral à l'Imperial College de 1997 à 1999, il a étudié l'épitaxie par jets moléculaires - sources gazeuses d'hétérostructures Si/SiGe pour les transistors à effet de champ à dopage modulé (MODFET). M. Hartmann a commencé à travailler au CEA-Leti en 1999 en tant qu'ingénieur de recherche. En 2007, il a été nommé expert sénior du CEA, puis directeur de recherche du CEA en 2016.

Jean-Michel a exploré avec ses collaborateurs, une alternative aux limitations physiques imposées par la miniaturisation du CMOS en remplaçant le Si (Silicium)  par le GeSn (Germanium-étain) . Grâce à cette avancée, les transistors verticaux en germanium-étain sont des candidats prometteurs pour les futures puces de faible puissance et de haute performance, voire pour les ordinateurs quantiques. 

"Outre leurs propriétés électro-optiques sans précédent, les binaires GeSn présentent l'avantage majeur de pouvoir être déposés dans les mêmes réacteurs d'épitaxie que les alliages Si et SiGe, ce qui permet de créer une plate-forme de semi-conducteurs optoélectroniques du groupe IV pouvant être intégrée de manière monolithique sur le Si" affirme Jean-Michel Hartmann dans son article.

"L'écosystème du CEA-Leti est unique, les ressources et les personnes que nous rencontrons partagent toutes la même curiosité pour trouver les meilleures recettes en épitaxie possibles."



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