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AWARD - Meilleures présentations étudiantes à ECS '22


​​​​La recherche de l'épitaxie est un domaine très dynamique, qui fait constamment l'objet de découvertes importantes. L'épitaxie consiste à développer des techniques pour produire des films monocristallins de haute qualité avec des propriétés spécifiques souhaitées. Le contrôle précis de la croissance des films, du dopage et de la formation d'hétérostructures fait de ce procédé un élément crucial dans l'industrie des semi-conducteurs pour améliorer les performances, l'évolutivité et l'intégration des semi-conducteurs.

Publié le 3 mai 2023

Justine et Marvin ont choisi de consacrer leur thèse à ce sujet et ont tous deux reçu un prix différent pour l'innovation obtenue.

Félicitations à Justine LESPIAUX et Marvin FRAUENRATH​​ pour le​ur prix Meilleure présentation étudiante à l'ECS 2022 !

Justine a étudié la croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs IV-IV tels que le Silicium-Germanium (SiGe) ou le Silicium dopé. Sa recherche a consisté à déterminer les caractéristiques de croissance et l'incorporation de dopants) ce qui a permis de mieux comprendre leurs applications potentielles dans les dispositifs et d'appréhender leurs propriétés sous un œil novateur. Son prochain objectif est d'intégrer ce processus dans un dispositif pour en améliorer son efficacité énergétique. Justine prend à cœur les questions de développement durable, non seulement dans l'épitaxie, mais aussi dans sa vie de tous les jours, comme préférer le distanciel lorsque les conférences nécessitent un déplacement en avion.

L'écosystème du CEA-Leti est très riche, on ne peut qu'élargir son champ de connaissance, de plus il y a aussi un éveil des consciences dans le domaine de la recherche sur la responsabilité environnementale. Cela a un réel impact sur mes décisions professionnelles et personnelles.

Marvin a relevé le défi de co-intégrer des matériaux innovants grâce aux équipements standardisés pour l'industrie en utilisant le procédé RP-CVD (Reduced Pressure-Chemical Vapor Deposition). Une résistance de contact réduit grâce aux fortes concentrations de dopage et un confinement électrique amélioré ont été utilisés pour fabriquer des photodiodes basées sur du silicium germanium étain (SiGeSn). Ils ont démontré une intensité électroluminescente intégrée dans des dispositifs photoniques améliorée par rapport aux photodiodes avec des couches de contact germanium (Ge) dopées. La gamme de longueurs d'onde couverte par les photodiodes est prometteuse pour leur utilisation en tant que composants compatibles CMOS notamment pour la détection de gaz à faible coût. Pour Marvin qui a su développer un dispositif laser optique qui fonctionne à température ambiante, le prochain objectif est de développer un laser qui fonctionne électriquement dans les mêmes conditions.​


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