Cette année le CEA-Leti sera présent à la conférence SISPAD 2023 avec 7 articles.
La Conférence internationale sur la simulation des processus et dispositifs semi-conducteurs (SISPAD) offre un forum international pour la présentation des résultats de recherche et développement de pointe dans le domaine de la simulation des processus et des dispositifs. SISPAD est l'une des conférences les plus anciennes consacrées à la technologie de conception assistée par ordinateur (TCAD) et à la modélisation avancée de nouveaux dispositifs semi-conducteurs et de structures nanoélectroniques.
Retrouvez ci-dessous les 7 articles du CEA-Leti :
[Session 3] Advanced CMOS Devices
SOI pMOS Drain Leakage Understanding Based on TCAD and Measurements, Daphnée Bosch et al.
Doped Channel SOI pMOS TCAD Description Including Floating Body Effects, Joris Lacord et al.
[Session 6] Compact Modeling
FDSOI MOSFET Subthreshold Slope Model Accuracy Improvement Introducing Low-Field Quantum Mechanical Correction, Thomas Bédécarrats et al.
- Thu. Sep 28, 2023 10:50 AM - 11:10 AM Hall B
Body Resistance Model For Partially Depleted SOI Device: Charge-Based Approach, Extraction and Verilog-A Implementation, Sébastien Martinie et al.
[Session 10] Memories
A Fully Coupled Multi-Physics Model to Simulate Phase Change Memory Operations in Ge-rich Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> Alloys, Robin Miquel et al.
- Fri. Sep 29, 2023 10:50 AM - 11:10 AM Hall B:
Advanced TCAD Modeling of HfO2-based ReRAM:<br />Coupling Redox Reactions and Thermal Effects, Youssef Hirchaou et al.
[Session 11] Quantum Computing and Spintronics
- Fri. Sep 29, 2023 1:20 PM - 1:40 PM Hall A
Improving the tight-binding description of spin-orbit<br />interaction in Si/Ge heterostructure for qubits<br />applications, Gaëtan Veste, Sébastien Martinie et al.