Cette année le CEA-Leti sera présent à la conférence SISPAD 2022 avec 7 articles.
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5 présentations orales et 2 posters, ce qui nous positionne comme l’un des principaux contributeurs à cette conférence qui reste la conférence de référence dans le domaine de la simulation des procédés et des dispositifs.
La Conférence internationale sur la simulation des processus et dispositifs semi-conducteurs (SISPAD) offre un forum international pour la présentation des résultats de recherche et développement de pointe dans le domaine de la simulation des processus et des dispositifs. SISPAD est l'une des conférences les plus anciennes consacrées à la technologie de conception assistée par ordinateur (TCAD) et à la modélisation avancée de nouveaux dispositifs semi-conducteurs et de structures nanoélectroniques.
Retrouvez ci-dessous les 7 articles du CEA-Leti :
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Calculation of the mobility in Al2O3/GaN electron channel: effect of p-doping and comparison with experiment, B. Rrustemi et al. (Oral presentation)
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RF simulation platform of QUBit control using FDSOI technology for quantum computing, H. Jacquinot et al. (Oral presentation)
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Ab-initio study of electron mobility in V2O5 via polaron hopping, R. Defrance et al. (Oral presentation)
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Non-Quasi-Static modeling and methodology in Fully Depleted SOI MOSFET for L-UTSOI model, S. Martinie et al. (Oral presentation)
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Coupling a phase field model with electro-thermal solver to simulate PCM intermediate states for neuromorphic computing, O. Cueto et al (Oral presentation)
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Atomic-scale study of silane and hydrogen adsorptions competition during Silicon epitaxy, L. Treps et al. (Poster presentation)
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A generalized, uncertainty-aware neural network potential for GeSbTe with Monte-Carlo dropout, S.-H. Lee et al. (Poster presentation)
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Workshop contribution :
Simulation of electron transport in 2D layers and through metal/2D/metal stacks, F. Triozon et al. (Invited)
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