IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) est le forum qui met en avant les avancées technologiques dans les domaines de la technologie, de la conception, de la fabrication, de la physique, de la modélisation des semi-conducteurs et des dispositifs électroniques.
C'est la conférence phare sur la technologie des transistors CMOS à l'échelle nanométrique, les mémoires avancées, les écrans, les capteurs, les dispositifs MEMS, les nouveaux dispositifs et la phénoménologie quantiques et nanométrique, l'optoélectronique, les dispositifs pour la récupération d'énergie, les dispositifs à grande vitesse, ainsi que les technologies des procédés, modélisation et simulation d'appareils.
Le CEA-leti présentera les derniers résultats & avancées scientifiques sur la 3D pour les imageurs, les mémoires FeRAM, les Technologies RFSOI & l'Informatique Quantique
à l'IEDM 2021 du 11 au 15 décembre
L'événement se déroulera virtuellement et en personne.
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Retrouvez ci-dessous les principales publications du CEA-Leti à L'IEDM 2021 :
3D sequential integration: applications and associated Key Enabling Modules (design & technology)
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Monday, Dec. 13 @ 2:00 p.m.
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Material and integration challenges to enable large scale Si quantum computing
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Tuesday, Dec. 14 @ 9:30 a.m.
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Double-Gate Si Nanowire FET Sensor Arrays For Label-Free C-Reactive Protein detection enabled by antibodies fragments and pseudo-super-Nernstian back-gate operation
| Tuesday, Dec. 14 @ 9:30 a.m.
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Modeling and Simulation - Advanced simulation and modeling of FETs
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Tuesday, Dec. 14 @ 2:15 p.m.
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Advanced Logic Technology - Front- and back-side advanced interconnects
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Tuesday, Dec. 14 @ 2:15 p.m.
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Reliability of Systems and Devices - Advanced Logic Device Reliability
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Wednesday, Dec. 15 @ 9:00 a.m.
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Heater system optimization for robust ePCM reliability and scalability in 28nm FDSOI technology
| Wednesday, Dec. 15 @ 9:05 a.m.
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Silicon Photonics Beyond Optical Interconnects
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Wednesday, Dec. 15 @ 9:30 a.m.
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Magnetic domain walls: from physics to devices
| Wednesday, Dec. 15 @ 9:55 a.m.
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Memory Technology - Ferroelectric Memory
| Wednesday, Dec. 15 @ 1:30 p.m.
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| 16kbit HfO2:Si-based 1T-1C FeRAM Arrays Demonstrating High Performance Operation and Solder Reflow Compatibility | Wednesday, Dec. 15 @ 1:35 p.m.
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From reliability to security of devices
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Wednesday, Dec. 15 @ 1:35 p.m.
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65nm RFSOI Power Amplifier Transistor Ageing at mmW frequencies, 14 GHz and 28 GHz
| Wednesday, Dec. 15 @ 2:25 p.m.
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Thorough Investigation of Low Frequency Noise Mechanisms in AlGaN/GaN and Al2O3/GaN HEMTs
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Wednesday, Dec. 15 @ 2:50 p.m.
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A new FDSOI spin qubit platform with 40nm effective control pitch
| Wednesday, Dec. 15 @ 2:50 p.m. |
