"La gravure de matériaux piézo-électriques pour fabriquer des dispositifs MEMS en semi-conducteur est réalisée actuellement le plus souvent par attaque chimique en phase liquide. Cependant pour des raisons de performances, de coûts et de productivité il y a un réel intérêt à réaliser ces gravures par plasma réactif dans des chambres de type ""Inductively-coupled plasma"". Les développements en-cours par cette technique se heurtent à une difficulté majeure liée à la faible volatilité des sous-produits de réaction générés lors de la gravure : les sous-produits de réaction sont alors susceptibles de se re-déposer dans la chambre, que ce soit sur les parois ou sur la fenêtre qui sépare le générateur RF source de la chambre de gravure. Ces dépôts, par le biais de couplages RF parasites ou de réactions parasites avec les gaz de gravure, entraînent une dérive des performances qu'il convient de limiter voire d'éliminer afin que garantir la stabilité dans le temps des procédés.Le stage se déroulera sur un équipement industriel de gravure plasma traitant des plaques silicium de diamètre 200mm installé dans la salle blanche MEMS du LETI. Le sujet portera sur l'identification de la composition chimique de re-dépôts afin de mettre en place une stratégie de nettoyage in-situ inter-plaques adaptée permettant de limiter leur accumulation et ainsi de garantir la stabilité des performances. La validation de la stratégie de nettoyage sélectionnée se fera en vérifiant que les performances attendues (vitesses de gravure, uniformité, profil des motifs gravés) sont stables malgré le traitement d'un volume important de plaques piézo-électriques."