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Postdocs

PsD-DRT-22-0091

Publié le 7 décembre 2023
PsD-DRT-22-0091
Domaine de rechercheNouveaux paradigmes de calculs, circuits et technologies, dont le quantique

Domaine-S

ThèmeDéfis technologiques

Theme-S

Domaine
Nouveaux paradigmes de calculs, circuits et technologies, dont le quantique Défis technologiques DRT DCOS S3C LDMC Grenoble
Intitulé de la proposition
Co-optimisation Design et Technologie de mémoires magnétorésistives pour le calcul dans la mémoire
Resumé
Le coût énergétique associé aux mouvements de données à travers la hiérarchie des mémoires est devenu un facteur limitant dans les systèmes de calcul modernes. Afin d'enrayer cette tendance, des architectures innovantes favorisant un traitement plus local et parallélisable de l'information stockée sont proposées; il s'agit de "calcul proche/dans la mémoire" (Near/In-Memory Computing). Des gains importants sont anticipés, s'agissant notamment de tâches complexes (ex: optimisation combinatoire, analyse de graphes, cryptographie) et basées sur le traitement de volumes importants de données (ex: analyse de flux vidéos, bio-informatique). De telles applications sont particulièrement exigeantes en termes d'endurance, de rapidité et de densité. Les mémoires SRAM, satisfaisant les deux premiers critères, commencent à souffrir de leur surface et de leur consommation de puissance statique. Il convient donc d'évaluer des alternatives technologiques plus denses et non-volatiles, parmi lesquelles les mémoires magnétorésistives (MRAM) se distinguent en termes de compromis rapidité/endurance. L'objectif principal sera d'estimer les améliorations permises par la MRAM en termes de compromis puissance/performance/aire (PPA), relativement aux solutions existantes à base de SRAM et pour des nœuds technologiques avancés. Une méthodologie d'analyse et de comparaison devra donc être établie pour diverses variantes MRAM, un modèle compact de l'élément mémoire permettant d'optimiser les cellules unitaires. Sur la base de ces travaux, des démonstrateurs fonctionnels IMC seront élaborés afin de quantifier l'apport de cette technologie sur un véhicule de test intégré.
Informations pratiques
Département Composants Silicium (LETI) Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité Laboratoire de Composants Mémoires
Date début de la proposition03/01/2022
email personne à contacterlouis.hutin@cea.fr
Personne à contacter
HUTIN Louis CEA DRT/DCOS//LDMC CEA 17 rue des martyrs 38054 Grenoble Cedex 04.38.78.04.78

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