PsD-DRT-18-0074
Domaine de recherche | Electronique et microélectronique - Optoélectronique
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Domaine-S |
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Thème | Sciences pour l’ingénieur
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Theme-S |
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Domaine | Electronique et microélectronique - Optoélectronique
Sciences pour l’ingénieur
DRT
DCOS
S3C
LDQC
Grenoble
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Intitulé de la proposition | Developement de la technologie FDSOI au delà du noeud 10nm
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Resumé | Le FDSOI est reconnue comme une technologie prometteuse pour les applications mobiles, l’IOT ainsi que pour les applications radiofréquences pour les futurs nœuds technologiques [1]. Le LETI est un pionnier dans la technologie FDSOI ce qui lui permet d’apporter des solutions innovantes afin de soutenir des partenaires industriels.
La réduction d’échelle du FDSOI au delà du nœud 10nm offres de nouvelles perspectives en termes de SOC et de performances RF. En revanche d’un point de vue intégration cela pose de nouveaux challenges. En effet le réduction de l’épaisseur du canal en dessous de 5nm devient difficile car il faut garantir une bonne mobilité des porteurs tout en conservant une bonne variabilité. Ainsi, l’introduction de solutions technologiques innovantes comme booster de performances devient nécessaire (Stress dans le canal, architectures alternatives de grille, optimisation des capacités parasites, le tout en tenant compte des règles de dessin de plus en plus agressives [2]).
La viabilité de ces nouveaux concepts devra être validée dans un premier temps par simulations TCAD et ensuite implémentés sur des lots 300mm.
Ce sujet est en ligne parfaite avec la nouvelle stratégie du LETI ainsi qu’en total accord avec l’annonce des futurs investissements [3].
Le candidat sera en charge des simulations TCAD pour définir les variantes à intégrer sur les lots jusqu’à la caractérisation électrique. Les simulations TCAD seront faites en collaboration avec l’équipe TCAD du LETI. Le candidat devra faire preuve d’innovation, de dynamisme, un bon relationnel pour travailler en équipe est indispensable.
[1] 22nm FDSOI technology for emerging mobile, Internet-of-Things, and RF applications, R. Carter et al, IEEE IEDM 2016.
[2] UTBB FDSOI scaling enablers for the 10nm node, L. Grenouillet et al, IEEE S3S 2013.
[3]https://www.usinenouvelle.com/article/le-leti-investit-120-millions-d-euros-dans-sa-salle-blanche-pour-preparer-les-prochaines-innovations-dans-les-puce
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Informations pratiques | Département Composants Silicium (LETI)
Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire Dispositifs Quantiques et Connectivité
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Date début de la proposition | 11/01/2018 |
email personne à contacter | claire.fenouillet-beranger@cea.fr
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Personne à contacter | FENOULLET-BERANGER
Claire
CEA
DRT/DPFT
CEA-Grenoble
17 rue des Martyrs
38054 GRENOBLE CEDEX
04 38 78 56 77
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