Dans ce postdoc, nous proposons d’étudier les mémoires résistives (RRAM) en vue des applications de mémoire haute densité. Dans ce but, deux technologies (CBRAM et OXRAM) seront comparées et caractérisées. L’impact des procédés d’intégration technologique sur les performances de la mémoire sera abordé. En particulier, nous évaluerons comment les étapes critiques d’intégration peuvent affecter le fonctionnement de la mémoire. Les architectures MESA (la RRAM est gravée) vs Damascène (la RRAM est déposée dans une cavité) seront comparées. Après l’évaluation du fonctionnement de base de la mémoire (forming, SET, RESET, tensions requises...), un accent particulier sera porté sur la fiabilité. L’endurance sera étudiée en détail et optimisée. L’impact des conditions de programmation (y compris des systèmes de programmation intelligents) sur la fenêtre mémoire et le nombre de cycles en endurance sera analysé. Enfin, la variabilité sera adressée, afin de quantifier les différentes contributions à la fermeture de la fenêtre mémoire : variabilité cycle à cycle et cellule à cellule. Les problèmes de fiabilité spécifiques (bruit de lecture ...) seront également abordés. Des extrapolations sur la densité maximale qu’une technologie de RRAM donnée peut offrir seront tirées. En se basant sur cette étude détaillée, une comparaison de toutes les technologies RRAM testées sera faite, permettant d’identifier les avantages et inconvénients de chaque option, et de mettre en évidence les compromis nécessaires (vitesse de la mémoire, l’endurance, tensions de fonctionnement, consommation ...).