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Postdocs

PsD-DRT-12-0030

Publié le 7 décembre 2023
PsD-DRT-12-0030
Domaine de rechercheElectronique et microélectronique - Optoélectronique

Domaine-S

ThèmeSciences pour l’ingénieur

Theme-S

Domaine
Electronique et microélectronique - Optoélectronique Sciences pour l’ingénieur DRT DCOS SITEC LAPS Grenoble
Intitulé de la proposition
Etude des contraintes thermomécaniques sur transistor HEMT AlGaN/GaN sur silicium.
Resumé
Les procédés de fabrication utilisés pour les HEMT AlGaN/GaN sont complexes et entrainent la formation de nombreux défauts cristallins. Ces contraintes présentes dans la couche GaN peuvent engendrer des fissurations dans le film GaN ou des délaminations aux interfaces supérieures. D’autre part, ces contraintes mécaniques couplées à des contraintes thermiques de fonctionnement risquent de conduire à une fragilité et à une dégradation des performances électriques du dispositif. Cet assemblage hétérogène présente un comportement complexe. Les matériaux utilisés réagissent différemment aux contraintes thermomécaniques. Le travail de ce postdoc consiste à étudier et à modéliser les déformations de cet ensemble, afin d’évaluer l’impact de ces contraintes sur les performances électriques des dispositifs latéraux et verticaux
Informations pratiques
Département Composants Silicium (LETI) Service Intégrations et Technologies pour les conversions d'énergies Laboratoire des composants de Puissance à Semiconducteur
Date début de la proposition09/01/2012
email personne à contacterchristel.buj@cea.fr
Personne à contacter
BUJ Christel CEA DRT/DCOS/SCME/LC2E CEA-DRT-LETI Minatec Campus DCOS/SCME/LC2E 17 rue des Martyrs 38054 GRENOBLE CEDEX9 0438780860

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