​Pour la majorité des usages, l'énergie électrique doit être convertie en tension et en courant utilisables par l'objet (pc portable, voiture électrique, etc) au moyen de systèmes convertisseurs. Les matériaux dits à « grand gap » comme le nitrure de gallium (GaN) permettent de réduire significativement les pertes et sont envisagés pour les applications de puissance élevée. Le CEA-Leti, qui développe cette technologie depuis une dizaine d'années, vient de finaliser, dans le cadre de l'IRT Nanoelec, un nouveau kit de conception de composants de puissance à base de GaN (process design kit, PDK), intégrant de nouvelles fonctions.

Afin de tirer parti au mieux de cette technologie, le nouveau PDK offre la possibilité de réaliser de nouveaux types de composants (notamment des transistors HEMT nOFF/nON et Schottky), qu'il est possible de combiner entre eux pour créer de nouvelles fonctionnalités (composants imbriqués, bidirectionnels…) non réalisables sur Silicium. Pour cela, il propose la totalité des différents modules permettant non seulement de dessiner les composants, mais aussi de les simuler et d'évaluer les performances du système final avant même de les fabriquer.

À un stade de maturité qui permet d'envisager aujourd'hui son transfert à l'industrie, ce nouveau kit de design dédié au GaN représente une étape clé pour la conception de composants alliant nouvelles briques technologiques et innovations « systèmes ».