Pour la majorité des usages, l'énergie électrique doit être convertie en tension et en courant utilisables par l’objet à recharger (téléphone, mais aussi voiture électrique, etc) au moyen d’un transformateur. Or, cette conversion occasionne des pertes plus ou moins importantes, que les matériaux dits à « grand gap » comme le nitrure de gallium (GaN), permettent de réduire significativement. La fabrication de transistors à base de GaN était toutefois jusqu’à présent limitée par le coût prohibitif de ce matériau.
Le Leti a trouvé la parade en recouvrant une plaque de silicium d’une très fine couche uniforme de GaN par dépôt chimique en phase vapeur, puis en utilisant les technologies conventionnelles de la microélectronique silicium. Les chercheurs ont également réussi  à produire un transistor GaN qui ne conduit le courant que lorsqu’il reçoit une commande (transistor N-Off), réglant ainsi un problème de sécurité car les versions antérieures étaient normalement passantes.
Le transistor 650 volts résultant de ces travaux fait l’objet de plusieurs transferts industriels, notamment dans le secteur automobile où il pourrait un jour contribuer à développer des stations de recharge de voitures électriques.