Le traitement thermiqueRéalisé dans des fours à des températures de 800 à 1 200°C, il peut servir à réaliser des couches d’oxydes, à réarranger des réseaux cristallins ou à effectuer certains dopages.
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La photolithographieEtape-clé, elle consiste à reproduire dans une résine photosensible le dessin des circuits à réaliser. Cette résine est déposée sur le silicium. La lumière d’une source lumineuse de très faible longueur d’onde (UV ou inférieure) y projette l’image d’un masque. Plus la résolution optique est poussée, plus la miniaturisation des circuits peut être améliorée.
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Les dépôts
 Ils apportent à la surface du silicium des couches conductrices ou isolantes : oxydes, nitrures, siliciures, tungstène, aluminium...
Ils sont effectués par diverses techniques faisant appel à des gaz ou à des liquides : dépôt en phase vapeur (CVD), par pulvérisation, par épitaxie etc.
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La gravure
 A l’inverse du dépôt, la gravure enlève de la matière à la plaquette, toujours dans le but de réaliser un motif.
Deux voies principales : la gravure dite « humide », qui utilise des réactifs liquides, et la gravure sèche (ou gravure plasma) qui emploie des réactifs gazeux.
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Le dopage Pour introduire au cœur du silicium les atomes qui vont modifier sa conductivité, les plaquettes sont chauffées entre 800 et 1 100°C dans des fours, en présence du gaz dopant, ou bombardées à travers un masque par un faisceau d’ions accéléré.
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