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Portrait | Solaire photovoltaïque | Energies renouvelables


Sébastien DUBOIS

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Publié le 16 avril 2024
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Sébastien DUBOIS

Directeur de recherche​​

Dr. Sébastien Dubois a obtenu en 2004 un diplôme d’ingénieur en sciences des matériaux de l’Institut National des Sciences Appliquées (INSA) de Lyon. En 2007, il obtient une thèse de doctorat de l’Université d’Aix-Marseille puis en 2014 l’Habilitation à Diriger des Recherches (HDR) de l’Université Grenoble-Alpes.

Après avoir rejoint le CEA-Liten en 2007, il a mené et encadré des recherches des matériaux silicium jusqu’aux cellules solaires à homojonction, en passant par le développement de nouvelles techniques de caractérisation. 

Il est actuellement responsable du Laboratoire des Procédés Cellules Alternatifs (LPA) avec des activités sur la cristallisation du silicium et les cellules à contacts passivés (simple jonction et tandem). 

Il fait partie du comité scientifique de plusieurs conférences internationales et intervient régulièrement à l’Université de Nantes pour un cours sur le photovoltaïque. 


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Do​​maines​​​​

 

Équ​ipe

  • ​​10 permanents
  • 1 post-doctorants
  • 3 doctorants​​

Activités de recherche

Les activités du laboratoire concernent d’une part la cristallisation du silicium monocristallin et le développement de procédés d’ingénierie des défauts.

​D’autre part, une partie importante des travaux se concentre sur les cellules solaires à haut rendement. Il s’agit ici d’améliorer les performances des dispositifs à contacts passivés (TOPCon, hétérojonction) en simple jonction et en architecture tandem.

Également, une attention forte est portée au développement d’architectures et de procédés durables, qui minimisent par exemple l’utilisation de matériaux critiques. Les développements concernent les applications terrestres du photovoltaïque, mais aussi les technologies pour l’environnement spatial.


Postes à pourvoir​​

> Technicien pour la fabrication de cellules solaires photovoltaïques silicium H/F

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Articles et conférences marquants : 


  • Investigation of p-Type Silicon Heterojunction Radiation Hardness, IEEE Journal of Photovoltaics, 2023, DOI: 10.1109/JPHOTOV.2023.3333197
  • Passivating Silicon Tunnel Diode for Perovskite on Silicon nip Tandem Solar Cells, Energies, 2023, DOI: 10.3390/en16114346
  • Evolution of the surface passivation mechanism during the fabrication of ex-situ doped poly-Si (B)/SiOx passivating contacts for high-efficiency c-Si solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, 2021, DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110899
  • Analysis of Lifetime-Limiting Defects in Cast-Mono Silicon Using Injection-Dependent Lifetime Spectroscopy Methods, IEEE Journal of Photovoltaics, 2021, DOI: 10.1109/JPHOTOV.2021.3074060
  • Highly passivating and blister-free hole selective poly-silicon based contact for large area crystalline silicon solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, 2019, DOI: 10.1016/j.solmat.2019.109912 

Brevets marquants : 

  • 2019 | Method for locating a wafer in the ingot of same, US Patent 10,371,657
  • 2014 | Method for manufacturing an n-type monocrystalline silicon ingot, WO2016075092A1
  • 2013 | Method for mapping oxygen concentration, US Patent 8,571,812



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