La technologie SOT-MRAM (Spin-Orbit Torques Magnetic Random Access Memory) est une technologie prometteuse pour une application de mémoire cache. En effet, elle présente des performances comparables avec les technologies CMOS présentes sur ce marché en termes de densité, de rapidité et d’endurance ainsi que la compatibilité avec les procédés de fabrication utilisés en microélectronique. Elle a également l’avantage d’être non volatile, c’est-à-dire qu’elle ne nécessite pas d’alimentation électrique pour conserver les informations en mémoire. Néanmoins, cette technologie souffre de limitations concernant le déterminisme d’écriture des points mémoire. Ce travail de thèse a pour objectifs de cibler ces limitations et de chercher des solutions permettant de les dépasser afin de porter la technologie SOT-MRAM vers une industrialisation.

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