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Agenda


Soutenance de thèse

Conversion entre courant de spin et courant de charge dans des interfaces Rashba et des isolants topologiques

Lundi 26 septembre 2022 à 14:00, Salle de séminaire 445, bat.1005, CEA Grenoble (accès limité aux porteurs d'un badge) et en visioconférence (lien ci-dessous)

Publié le 26 septembre 2022
Maxen COSSET-CHENEAU
Spintronique et Technologie des Composants, Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble
L'interconversion entre courants de spin et de charge dans les systèmes non magnétiques est basée sur le couplage spin-orbite. Au cours des dix dernières années, la spintronique a été profondément transformée par l'utilisation de cet effet. Alors que l'interconversion spin-charge dans la spintronique conventionnelle repose sur l'interaction d'échange, elle peut également être réalisée en utilisant le fort couplage spin-orbite présent dans certains matériaux ferromagnétiques. L'effet conjoint de l'interaction d'échange et du couplage spin-orbite sur le transport et l'interconversion de spin-charge n'est cependant pas bien comprise, ce qui limite pour l'instant l'utilisation des nouvelles fonctionnalités offertes par ces matériaux. En plus de l'étude de l'interconversion spin-charge dans les métaux, d'autres types de matériaux tels que les isolants topologiques, les interfaces de Rashba et les semi-conducteurs ferroélectriques sont étudiés. Ces systèmes sont intéressants pour la réalisation de nouveaux concepts de logique de spin en raison de leur grande interconversion spin-charge et de leurs propriétés multifonctionnelles. Cette thèse se concentre sur l'exploration des effets d'interconversion spin-charge dans ces matériaux en utilisant diverses techniques et dispositifs. Le premier chapitre présente les concepts utilisés et développés tout au long de cette thèse, qui sont le transport de spin dans les métaux avec une aimantation colinéaire et transverse à la polarisation de spin, ainsi que la conversion d'un courant de spin en un courant de charge dans les métaux, les interfaces Rashba et les isolants topologiques. Dans le deuxième chapitre, les propriétés de transport de spin colinéaire et transverse sont mesurées à l'aide de valves de spin latérales, jetant les bases d'une caractérisation quantitative des effets d'interconversion spin/charge dans les systèmes mentionnés précédemment. Dans le troisième chapitre, l'effet de la compétition entre l'interaction d'échange et le couplage spin-orbite sur l'interconversion spin-charge est évalué. Pour ce faire, nous mesurons l'effet Hall de spin inverse dans les matériaux ferromagnétiques à travers leur température de transition en utilisant une technique de résonance ferromagnétique de pompage de spin, et en faisant tourner la magnétisation du matériau ISHE ferromagnétique par rapport à la polarisation du courant de spin en utilisant une nouvelle conception de vanne de spin latérale. Le quatrième chapitre étudie l'interconversion spin-charge dans le gaz d'électrons bidimensionnel aux interfaces entre SrTiO3 et divers métaux, et dans le gaz d'électrons bidimensionnel nouvellement découvert à l'interface métal-KTaO3 en utilisant des mesures de pompage de spin. Enfin, le cinquième chapitre traite de la détection locale de l'interconversion dans le contexte des dispositifs à logique de spin récemment proposés. Dans la première partie de ce dernier chapitre, l'optimisation de la tension d'interconversion requise pour les dispositifs spin-orbite magnétoélectriques est étudiée dans le platine, par l'ingénierie de l'interface et en effectuant une détection locale de l'interconversion dans l'isolant topologique Sb2Te3. Dans la deuxième partie, le modelage de tels dispositifs d'interconversion locale en utilisant le semi-conducteur ferroélectrique de Rashba GeTe et le gaz d'électrons bidimensionnel présent aux interfaces métal-SrTiO3 est réalisé, avec une ouverture vers leur utilisation pour le dispositif spin-orbite ferroélectrique récemment proposé.

https://www.spintec.fr/phd-defense-spin-to-charge-current-interconversion-in-rashba-interfaces-and-topological-insulators//